揚(yáng)州欣達(dá)電子有限公司

在透射電子顯微鏡觀察到的薄膜形成過程照片中，能觀測(cè)到最小核的尺寸約為20A~30A左右。在核進(jìn)一步長大變成小島過程中，平行于基片表面方向的生長速度大于垂直方向的生長速度。這是因?yàn)楹说纳L主要是由于基片表面上吸附原子的擴(kuò)散遷移碰撞結(jié)合，而不是入射蒸發(fā)氣相原子碰撞結(jié)合決定的。這些不斷捕獲吸附原子生長的核逐漸從球帽形、圓形變成多面體小島。對(duì)于島的形成可用熱力學(xué)宏觀物理量如表面自由能，也可用微觀物理量如結(jié)合能來判別。